等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:26
2467 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58844 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì)是什么？在當(dāng)前科技日新月異、需求層出不窮的背景下，芯片廠商如何找準(zhǔn)自己的定位以不被時(shí)代淘汰？近日，EEWORLD記者有幸借助在硅谷舉辦的euroasia PRESS 拜訪Altera
2019-06-25 06:31:51
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)。現(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
的跨越，裝備產(chǎn)業(yè)將是重要環(huán)節(jié)，其中需要更多的創(chuàng)新，才能引領(lǐng)中國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，并推動(dòng)我國芯片工藝制程和技術(shù)跨越式提升。3DFlash存儲(chǔ)器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率
2020-12-08 10:18:29
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) www.ic.bit-bit.com原創(chuàng)摘要：2011年轉(zhuǎn)眼即逝，縱觀2011年，企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)有著怎么樣的發(fā)展呢？為適應(yīng)市場(chǎng)需求，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)出現(xiàn)了哪些新的技術(shù)
2011-12-08 17:24:00
A，S，C，C 在半導(dǎo)體行業(yè)分別是哪幾家？
2020-12-18 16:54:20
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
的半導(dǎo)體過程控制技術(shù)來嚴(yán)格監(jiān)控工藝過程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡要概述，著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；SPC；過程
2018-08-29 10:28:14
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
分析以獲得有關(guān)半導(dǎo)體材料、工藝和集成電路生產(chǎn)環(huán)境的信息在半導(dǎo)體工業(yè)中被稱為濕化學(xué)。盡管濕法自 50 年代后期以來已在該行業(yè)中使用，但對(duì)這些技術(shù)仍然知之甚少。然而，在行業(yè)努力保持良好的質(zhì)量控制、提高產(chǎn)量
2021-07-09 11:30:18
受到贊賞，通常用于廢物處理和飲用水消毒行業(yè)。最近在半導(dǎo)體濕法清洗工藝中引入臭氧引起了越來越多的興趣，因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)通過滿足上述需求的許多方面已被證明對(duì)工業(yè)應(yīng)用非常有前景。如圖 1 中的電位-pH 圖所示
2021-07-06 09:36:27
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
”。目前中國中微半導(dǎo)體的5 nm等離子體刻蝕機(jī)已經(jīng)通過臺(tái)積電驗(yàn)證，與國際刻蝕機(jī)巨頭泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立屬于國際第一梯隊(duì)，屬于技術(shù)領(lǐng)先陣列，但是光刻機(jī)就差多了。縱觀全球市場(chǎng)，占據(jù)著絕大部分
2019-08-10 14:36:57
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
of process time）之比（稱作實(shí)際－理論率）來衡量二者的差距，發(fā)現(xiàn)這個(gè)比率在2.5倍和10倍之間波動(dòng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他制造行業(yè)[3]。比率越大，越說明工藝處理流程的復(fù)雜和不確定。導(dǎo)致半導(dǎo)體
2009-08-20 18:35:32
從娛樂產(chǎn)品、通信設(shè)備、交通系統(tǒng)，到節(jié)能應(yīng)用和醫(yī)療保健設(shè)備，在這些徹底改變我們的日常生活方式的全新應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體技術(shù)日益普及，并發(fā)揮著關(guān)鍵作用，這意味著半導(dǎo)體行業(yè)的成功較其它行業(yè)更依賴于半導(dǎo)體企業(yè)
2011-03-22 17:43:00
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
在核心技術(shù)上取得突破，例如上海中微半導(dǎo)體成功推出先進(jìn)的等離子體刻蝕機(jī)，美國馬上宣布相關(guān)設(shè)備的出口松綁。另一方面，也透過合作模式積極主導(dǎo)其在中國市場(chǎng)的發(fā)展，控制核心技術(shù)，搶占市場(chǎng)，中國廠商與其合作或者
2017-05-27 16:03:53
，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕（英語：etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)
2017-10-09 19:41:52
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度，更在接下來的半個(gè)實(shí)際中，猶如一只無形大手般推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
。 隨著越來越多晶圓焊凸專業(yè)廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝，批量壓印技術(shù)開始在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中廣泛普及。然而，大型EMS企業(yè)也走進(jìn)了WLP領(lǐng)域。封裝和板卡之間的邊界，以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊，迫使企業(yè)必須具備晶圓級(jí)和芯片級(jí)工藝技術(shù)來為客戶服務(wù)`
2011-12-01 14:33:02
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移遵循一條價(jià)值規(guī)律，向賺錢越多的地方轉(zhuǎn)移。全球存儲(chǔ)器會(huì)走超級(jí)大廠特大晶圓道路，一定會(huì)優(yōu)先采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)。如全球存儲(chǔ)器中，由于12英寸的性價(jià)比已經(jīng)超過8英寸，因此全球43個(gè)8
2008-09-23 15:43:09
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
半導(dǎo)體行業(yè)高管近期紛紛表態(tài)，由于商家?guī)齑嬲霈F(xiàn)下降跡象，半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⒂瓉韽?fù)蘇的第一縷曙光。ARM CEO伊斯特說，他預(yù)計(jì)智能手機(jī)在2012年將有顯著的增長，但也承認(rèn)半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇將受到經(jīng)濟(jì)形勢(shì)
2012-01-15 10:07:58
美元增長到2022年25億美元1。此外，隨著通信行業(yè)對(duì)器件性能的要求逐漸提高，GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代，預(yù)計(jì)到2025年，化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場(chǎng)份額的80%以上。
2019-06-13 04:20:24
號(hào)外，號(hào)外：四川某合資半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司高薪招一前段工藝設(shè)備經(jīng)理。想回川的同胞們抓緊機(jī)會(huì)了哦。現(xiàn)在的半導(dǎo)體行業(yè)都在往川渝發(fā)展，歡迎全球各地有志之士到川渝來尋找合適機(jī)會(huì)！（話不多說，這個(gè)圈子就這么
2013-08-01 14:06:23
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:36
25 半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38117 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162 業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 在未來數(shù)年內(nèi)，仍有數(shù)不清的機(jī)遇推動(dòng)5G射頻技術(shù)創(chuàng)新，而半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展無疑將扮演重要角色。從整個(gè)行業(yè)來看，從工藝和材料開發(fā)到設(shè)計(jì)技巧和建模，再到高頻測(cè)試和制造，仍有很多工作需要完成。在實(shí)現(xiàn)5G目標(biāo)的道路上所有學(xué)科都將參與其中，而半導(dǎo)體工程材料技術(shù)是重中之重。
2018-05-28 14:43:00899 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是集成電路工藝技術(shù)教程之半導(dǎo)體襯底的詳細(xì)資料說明主要內(nèi)容包括了：1、集成電路發(fā)展歷程回顧 2、描述天然硅原料如何加工提煉成半導(dǎo)體
2018-11-19 08:00:0022 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)了刻蝕工藝平臺(tái)全年無間斷運(yùn)行。
2019-05-15 17:49:27998 據(jù)浦東時(shí)報(bào)報(bào)道，2020年開年，中微半導(dǎo)體成功中標(biāo)長江存儲(chǔ)9臺(tái)刻蝕設(shè)備訂單。
2020-01-08 10:49:094292 刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于在設(shè)定的分布范圍內(nèi)對(duì)各種變量進(jìn)行管理，并且
2023-01-07 14:08:363141 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185 對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測(cè)的方式。
2023-03-06 13:56:031773 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561652 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531538 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42130 
共讀好書 孫瑞花鄭宏宇吝海峰 (河北半導(dǎo)體研究所) 摘要: MEMS封裝技術(shù)大多是從集成電路封裝技術(shù)繼承和發(fā)展而來,但MEMS器件自身有其特殊性,對(duì)封裝技術(shù)也提出了更高的要求,如低濕,高真空,高氣
2024-02-25 08:39:28171 
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