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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2014LHAB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2014LHAB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2014LHAB
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2030-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2014LHAB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2014LHAB 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2014LHAB
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2030-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 1550 pF

 


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度
ESD保護(hù)門


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