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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMTH10H017LPD 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H017LPD

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H017LPD
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產品詳情 ---

DMTH10H017LPD 

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H017LPD 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H017LPD
名稱                  100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                   PowerDI?5060-8

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 59 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 93 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 17.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 30.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 28.6 nC
CISS Typ (pF) 1986 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩健
高轉換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態損失
低輸入電容
開關速度快


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