FDG6321C詳細參數說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A / 1.5A 導通電阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280mΩ @ 2.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V) 封裝類型 SC706應用簡介 FDG6321C是一款N+P溝道MOSFET，同時包含了N溝道和P溝道的特性，在各種電源管理和功率放大器應用中具有廣泛的應用范圍。該器件具有較高的額定電壓和額定電流，能夠提供可靠且高效的電流開關功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實現開關管的導通和截止，實現電流的控制和開關狀態的轉換。其較低的導通電阻可以降低功耗，并提高系統的效率。FDG6321C采用SC706封裝，封裝小巧，適合在空間有限的應用場合中使用。該器件廣泛用于電源開關、電源逆變器、電機驅動器以及需要同時使用N溝道和P溝道MOSFET的場合。在這些領域中，FDG6321C能夠提供可靠的功率開關控制和多通道電流傳輸，實現高效能的電流開關操作。總之，FDG6321C是一款N+P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器的各種應用模塊中，特別適用于需要同時控制正負電壓的場合，例如電源開關、電機驅動器等領域。
--- 產品參數 ---
- 極性 N+P溝道
- 額定電壓 ±20V
- 額定電流 2.5A / 1.5A
- 導通電阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V)
- 封裝類型 SC706
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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