型號 SI3477DVT1GE3絲印 VB8338品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1V~3V 封裝類型 SOT236應用簡介 SI3477DVT1GE3（絲印 VB8338）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 SI3477DVT1GE3是一款P溝道功率MOSFET，適用于具有低電壓和低功耗的電路。主要參數包括額定電壓為30V，額定電流為4.8A，RDS(ON)為49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓范圍為1V~3V，封裝類型為SOT236。應用領域 SI3477DVT1GE3（VB8338）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要P溝道功率MOSFET的低功耗電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 SI3477DVT1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電池管理系統 它適用于電池管理系統中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。3. 便攜式設備 SI3477DVT1GE3適用于便攜式設備中的功率管理、電源開關、電池管理等方面。綜上所述，SI3477DVT1GE3（VB8338）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電池管理系統和便攜式設備等領域模塊。它具有低導通電阻和高耐壓的特點，適用于需要低功耗和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 4.8A
- RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓范圍 1V~3V
- 封裝類型 SOT236
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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