型號 CMD12N10絲印 VBE1101M品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.6V 封裝類型 TO252應用簡介 CMD12N10（絲印 VBE1101M）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 CMD12N10是一款N溝道功率MOSFET，具有高電壓和電流承載能力。主要參數包括額定電壓為100V，額定電流為18A，RDS(ON)為115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓為1.6V，封裝類型為TO252。應用領域 CMD12N10（VBE1101M）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 CMD12N10可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電機驅動 它可應用于電機驅動電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用于工業自動化和機械設備中的電機驅動。3. 汽車電子系統 CMD12N10適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足汽車電子系統對高電壓和高功率的要求。綜上所述，CMD12N10（VBE1101M）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電機驅動和汽車電子系統等領域模塊。它具有高電壓和電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 18A
- RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓 1.6V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號：BUK661R9-40C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號：BUK661R8-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號：BUK661R6-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號：BUK6610-75C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號：BUK6607-55C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號：BUK657-600B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號：BUK657-500B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號：BUK657-500A-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號：BUK657-450B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號：BUK657-400B-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N