型號 2N7002ET1G-VB
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
參數(shù)
溝道類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大持續(xù)電流 0.3A
開通電阻（RDS(ON)） 2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
閾值電壓（Vth） 1.6V
封裝類型 SOT23
應(yīng)用簡介
2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于低功率電子應(yīng)用。以下是它的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域
1. 信號開關(guān) 這款MOSFET可以用于信號開關(guān)電路，例如在通信設(shè)備、音頻放大器和控制電路中，用于控制和管理信號通路。
2. 電源開關(guān) 在低功率電源管理模塊中，2N7002ET1G-VB可以用于電源開關(guān)，用于控制電路的通斷狀態(tài)，以提供電源管理功能。
3. 電路保護 它還可用于電路保護，例如在過電流保護和過溫度保護電路中，用于確保電路的安全性和穩(wěn)定性。
4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換 由于其低閾值電壓，這款MOSFET可以用于邏輯電平轉(zhuǎn)換，將不同電平的信號轉(zhuǎn)換為兼容的電平，例如在微控制器和數(shù)字電路中。
總之，2N7002ET1G-VB是一款適用于低功率電子應(yīng)用的N溝道MOSFET，特別適用于信號開關(guān)、電源開關(guān)、電路保護和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。它的低電流和低電壓特性使其成為小型電子設(shè)備中的常見元件。
