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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK7675-55A-VB-TO263封裝N溝道MOSFET

型號: BUK7675-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 類型 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 最大持續電流 40A
  • 導通電阻 23mΩ @ 10V
  • 門源電壓范圍 20V(正負)
  • 閾值電壓 1.9V
  • 封裝 TO263

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號  BUK7675-55A-VB
絲印  VBL1632
品牌  VBsemi
參數  
 類型  N溝道
 額定電壓(Vds)  60V
 最大持續電流(Id)  40A
 導通電阻(RDS(ON))  23mΩ @ 10V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負)
 閾值電壓(Vth)  1.9V
 封裝  TO263

應用簡介  
BUK7675-55A-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于需要高電流承受能力和低導通電阻的電子應用。它在電源開關、電機控制、電池管理等領域具有廣泛的應用。

詳細參數說明  
1.  類型   這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓(Vds)   它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對高電壓條件下工作。

3.  最大持續電流(Id)   這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使其能夠處理高電流負載。

4.  導通電阻(RDS(ON))   RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為23mΩ,表示在導通狀態下的功耗非常低。

5.  門源電壓范圍(Vgs)   MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6.  閾值電壓(Vth)   這款MOSFET的閾值電壓為1.9V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用TO263封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。

應用領域  
BUK7675-55A-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流承受能力和低導通電阻的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊  

1.  電源開關   可用于高電流電源開關,如電壓轉換和電源穩定。

2.  電機控制   在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業電機。

3.  電池管理   可用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。

4.  高電流負載開關   用于高電流負載的通斷控制,如電動工具、電焊機和電動車輛。

5.  電源管理   在需要高電流開關和電流控制的電源管理電路中使用,如工業控制系統。

總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電流承受能力和低導通電阻的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和高電流應用中。

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