型號：CES2331-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數：
- P溝道 MOSFET
- 額定電壓：-30V
- 最大持續電流：-5.6A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V
- 閾值電壓 (Vth)：-1V
封裝：SOT23
詳細參數說明：
CES2331-VB是一款P溝道MOSFET，專為低電壓、中電流應用而設計。它的額定電壓為-30V，可以持續承受最大-5.6A的電流。該MOSFET具有良好的導通特性，其靜態導通電阻在10V電壓下為47mΩ，而在4.5V電壓下為56mΩ。這使其適用于需要中等功率的應用。
CES2331-VB的門源極電壓（Vgs）范圍廣泛，最大可達±20V，具有良好的控制特性。其閾值電壓（Vth）為-1V，可在不同應用中實現精確的控制。
應用簡介：
CES2331-VB廣泛應用于以下領域和模塊：
1. **電源管理模塊**：這款MOSFET適用于低電壓電源管理，可用于電池管理、電源開關和充電控制等應用。
2. **信號放大器**：由于其中等電流特性，可用于放大信號，如音頻放大器和信號放大電路。
3. **電源開關**：適用于各種類型的電源開關模塊，如開關模式電源供應器（SMPS）。
4. **LED驅動**：可用于LED照明系統中，控制LED亮度和開關。
綜上所述，CES2331-VB是一款適用于多種應用的P溝道MOSFET，適用于低電壓、中電流的應用，提供中等功率和可靠性的解決方案。
