型號：SI2307CDS-T1-E3-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大持續電流：-5.6A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-1V
- 封裝：SOT23

詳細參數說明：
SI2307CDS-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件，具有-30V 的額定電壓和最大持續電流為-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好，分別為 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為-1V。

應用簡介：
SI2307CDS-T1-E3-VB 通常用于電源管理和開關控制應用中，特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。由于其 P 溝道特性，它可用于反相開關和負電源電路。SOT23 封裝使其易于集成到小型電子設備中。這種型號的 MOSFET 可以在各種領域的模塊中使用，如電源逆變器、電源開關、電池保護電路、移動設備和充電管理，以及其他需要負電源開關的應用。它的低導通電阻和高電流承受能力使其在高效率、低功耗應用中非常有用。