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等離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進(jìn)展

2010年01月28日 09:03 www.zgszdi.cn 作者:佚名 用戶評(píng)論(0

等離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進(jìn)展

近來,中科院等離子體研究所太陽(yáng)能材料與工程研究室研究生田華軍在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究方面取得較大進(jìn)展。該研究成果能提高電池的穩(wěn)定性,并在一定程度提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。相關(guān)研究論文在美國(guó)化學(xué)會(huì)《物理化學(xué)雜志C》發(fā)表。



????研究人員通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了氮摻雜后能代替二氧化鈦晶格中的氧缺陷,增加了在400納米到500納米之間的光吸收,使得納晶半導(dǎo)體薄膜的平帶電勢(shì)負(fù)移,提高了電池的開路電壓。氮摻雜抑制了二氧化鈦和電解質(zhì)界面的電子復(fù)合反應(yīng),增加了二氧化鈦電極中的電子壽命,提高電池的穩(wěn)定性,并能一定程度提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

????此前,相應(yīng)的研究成果由等離子體所戴松元研究員在美國(guó)波士頓2009年材料研究學(xué)會(huì)秋季會(huì)議(2009?MRS?fall?meeting)以特邀報(bào)告的方式予以介紹,獲得了廣泛關(guān)注。

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