RCD吸收電路的影響和設計方法（定性分析）
這回主要介紹RCD電路的影響。
先分析過程：
對應電路模型：
我們可以定性的分析一下電路參數的選擇對電路的暫態響應的影響：
1.RCD電容C偏大
電容端電壓上升很慢，因此導致mos 管電壓上升較慢，導致mos管關斷至次級導通的間隔時間過長，變壓器能量傳遞過程較慢，相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。
波形分析為：
2.RCD電容C特別大（導致電壓無法上升至次級反射電壓）
電容電壓很小，電壓峰值小于次級的反射電壓，因此次級不能導通，導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級電壓下降后達成新的平衡，理論計算無效了，輸出電壓降低。
3.RCD電阻電容乘積R×C偏小
電壓上沖后，電容上儲存的能量很小，因此電壓很快下降至次級反射電壓，電阻將消耗初級勵磁電感能量，直至mos管開通后，電阻才緩慢釋放電容能量，由于RC較小，因此可能出現震蕩，就像沒有加RCD電路一樣。
4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小
如果參數選擇合理，mos管開通前，電容上的電壓接近次級反射電壓，此時電容能量泄放完畢，缺點是此時電壓尖峰比較高，電容和mos管應力都很大
5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適
在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調節電阻后，使mos管開通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在于讓電容始終存有一定的能量。
以上均為定性分析，實際計算還是單獨探討后整理，需要做仿真驗證。
明天把上面兩篇博文做一些仿真的分析，如果與上面的分析一致，則開始準備整理計算方法。