1 概述 
本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產品，并介紹其主要特點。
特性。
1.1 特性 
- 與正時鐘邊沿完全同步 
- 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C 至 70 °C - 工業溫度范圍 -40 °C 至 85 °C - 汽車 2 級溫度范圍 -40 °C 至 105 °C - 高對比度，X（-55 °C 至 125 °C） 
- 四組由 BA0 和 BA1 控制 
- 可編程 CAS 延遲：1、2 和 3 
- 可編程卷繞序列： 順序或交錯 
- 可編程突發長度：1、2、4、8 和全頁 
- 多脈沖串讀取與單寫入操作 
- 自動和受控預充電命令  
- 用于讀/寫控制的數據屏蔽（x8、x16、x32） 
- 字節控制的數據屏蔽（x16、x32） 
- 自動刷新（CBR）和自刷新 
- 掉電模式  
- 8192 次刷新周期 / 64 ms (7.8 μs) T≦105°C 
/ 32 ms (3.9us) T>105°C 
- 每 CLK 隨機列地址（1-N 規則） 
- 單 3.3 V ± 0.3 V 電源 
- LVTTL 接口版本 
- 提供 86/54 引腳 TSOP II 
- 芯片尺寸封裝：  P-TSOPII-54 10.16mm 寬 (x8, x16) P-TSOPII-86 10.16mm 寬 (x32)

SCB33S128160AE-6BI P-TSOPII54 166MHz 8M x 16 SDRAM 

描述 
SCB33S128[320/160/800]AE-[6B/6EB/75B] 是四組同步 DRAM，分別為 4 組 x 1 MBit x32、4 組 x 2 Mbit x16 和 4 組 x 4 MBit x8。
組 x 2 Mbit x16 和 4 組 x 4 MBit x8。這些同步器件通過采用 CAS 
這些同步設備通過采用芯片架構，預取多個比特，然后將輸出數據同步到系統時鐘，從而在 CAS 時延內實現高速數據傳輸速率。
與系統時鐘同步。 
該器件的設計在電氣和機械方面均符合同步 DRAM 產品的所有行業標準。
機械性能。所有控制、地址、數據輸入和輸出電路都與外部提供的時鐘正邊同步。
所有控制、地址、數據輸入和輸出電路都與外部提供的時鐘正邊同步。
以交錯方式運行四個內存組，可實現比標準 DRAM 更高的隨機存取操作速率。
率。根據突發長度、CAS 延遲和設備的速度等級，可以實現有序和無間隙的數據傳輸速率。
設備的速度等級。
支持 “自動刷新（CBR）”和 “自刷新 ”操作。這些器件使用 3.3 V ± 0.3 V 單電源供電。
電源供電。所有 128-Mbit 元件均采用 P-TSOPII-[86/54] 封裝。